R&D project
* 자가 구동 압저항 캔틸레버 (piezo-resistive self-actuated cantilever)
* 필드 방출 주사 프로브 리소그래피(FE-SPL, Field Emission-Scanning Probe Lithography)
* 팁 기반 전자빔 유도 증착(TB-EBID, Tip-based Electron Beam Induced Deposition)
* 멀티 플랫폼 고진공 시스템(Multi-Plattform UHV System – AFM-MPS)
* Paper: Single dopant atom lithography
* Paper: RT single dopant atom QD transistor
* Paper: SPL towards single-digit nm fabrication
Paper: Single dopant atom lithography
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양자 컴퓨팅을 위한 단일 원자 소자 및 스핀 기반 큐비트 제작
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단일 도펀트 원자를 정확한 위치에 주입하는 기술은 고체 양자 컴퓨팅에 필요한 기본 소자의 제작 및 그 물성을 정밀하게 조정하게 함.
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개별 원자를 결정론적으로 위치시키는 기술은 단일 또는 소수 원자 트랜지스터, 단일 전자 트랜지스터, 또는 다양한 양자 감지 소자를 3차원 구조 아래 제작하는 데 필요한 핵심 기술.
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이온 빔과 주사 프로브의 통합으로 수 나노미터 정확도로 이온 빔을 소자 형상에 정렬하는 동시에 타겟의 비파괴 이미징을 가능하게 함.
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지원한 프로젝트 (Application)
->Supporting Digital Partnerships in Quantum technologies (RIA),
HORIZON-CL4-2025-03-DIGITAL-EMERGING-03
->링크: https://ec.europa.eu/info/funding-tenders/opportunities/portal/screen/opportunities/topic-details/HORIZON-CL4-2025-03-DIGITAL-EMERGING-03
SCALABLE DETERMINISTIC SINGLE ION IMPLANTATION FOR QUANTUM SYSTEMS(SI2Q) 프로젝트는 sub-nm 정밀도로 결정론적 단일 이온 주입이 가능한 완전 통합형 최초의 양자 주입 플랫폼을 개발하는 것을 목표로 합니다. 이를 통해 동위원소로 설계된 다이아몬드에 규칙적으로 배열된 점 결함 큐비트(예: NV 센터)로 구성된 고성능 양자 레지스터를 제작할 수 있습니다. SI2Q는 첨단 나노 제조, 새로운 스캐닝 프로브 기술, 초정밀 위치 결정, 그리고 양자 제어 소프트웨어를 결합하여 차세대 양자 컴퓨팅 및 센싱 응용 분야에 적합한 상온 확장 가능한 고체 양자 소자의 기반을 구축합니다.
