nanoMETRONOM
Nano analytik GmbH 사의 초정밀 AFM 시스템 (active cantilever 적용)
범용 AFM으로 레이저 소스가 필요없는 ‘non-optical’ 시스템 입니다.
Active cantilever를 이용해서 self-sensing (Piezo resistive sensor), self-actuating (Thermomechanical actuation) cantilever를 구현하였습니다.
이를 이용해서 다양한 재질을 분석할 수 있고 진공에서도 사용이 가능합니다.



AFM in SEM
계측, 이미징 등 다양한 분야에서 사용 가능한 진공용 AFM 시스템
SEM 장비에서 AFM 측정을 할 수 있는 진공용 AFM 입니다.
Active cantilever를 적용하여 compact한 구성이 가능하여 사용하시는 SEM chamber를 변경하지 않아도 설치가 가능한 진공용 AFM 입니다.
간편한 설치로 5분 이내로 진공챔버에 설치가 가능합니다.






Scanning Probe Lithography (SPL)
5 nm 정밀 Patterning이 가능한 Scanning Probe Lithography (SPL)
리소그래피 기술의 resolution을 높이면 가격이 비싸지는 단점이 있습니다.
Nano analytik 사의 SPL은 합리적인 가격으로 진공 및 대기상에서 모두 사용가능한 장비 입니다.
FE-SPL 은 5 nm 이하의 정밀 Pattering 이 가능합니다.






필드 방출 주사 프로브 리소그래피
(FE-SPL, Field Emission-Scanning Probe Lithography)
본 FE-SPL은 0차원(zero dimension) 단일 전자 트랜지스터(SET, single electron transistor) 제작에 적합합니다. Top-down 방식으로 디바이스에 큐빗(Qubit)을 주입하는 양자 디바이스, 양자 컴퓨터 개발에 적합한 솔루션이 될 것입니다.
FE-SPL의 작동 원리는 다음과 같습니다.
먼저 저항층(resist)이 코팅된 샘플 표면에 초정밀 팁(ultra sharp tip)을 근접시킵니다. 그 다음으로 저에너지 전자를 팁으로부터 샘플 표면에 노출시킵니다. 이러한 FE-SPL은 기존 E-beam 리소그래피에 비해 다음과 같은 장점이 있습니다.
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Closed-loop operation
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Improved lateral resolution
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Lower implementation cost
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Ambient or vacuum operation
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Delivery of exposure electrons without optics requiring optimization
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High overlay and stitching accuracy
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Ability to “write and read” with the same probe in a non-destructive manner.

Single-Dopant Lithography – AFM-SDL
AFM 과 Ion Beam을 결합한 Single Dopant Lithography 장비
AFM 과 Ion Beam을 결합한 Single Dopant Lithography 장비입니다.
Qbits, 원자수준의 디바이스 및 NV (nitrogen-vacancy) centers in a diamond 어플리케이션에 사용이 가능한 제품입니다.
Substrate에 5 nm 위치 정밀도로 원하는 single ion 을 implant 및 측정할 수 있습니다.



Multi-Plattform UHV System – AFM-MPS
Nanoscale 공정과 표면 분석 등을 위한 다기능 플랫폼 AFM
Nanoscale 공정과 표면 분석 등을 위한 다양한 기능의 장치와 AFM을 결합한 장비 입니다.
Single Ion Implantation, FE-SPL, TB-EBID, PVD 등의 기능이 가능합니다.
5 nm Ion Implantation 정밀도의 AFM tip을 사용한 장비는 AFM 기반 Implantation 과 1000°C 이상의 열처리를 한번에 할 수 있는 장비를 구성할 수 있습니다.
(Sample preparation chamber, Implant chamber, Thermal treatment chamber 등으로 구성)


